今天，联发科与TSMC联合宣布，联发科采用TSMC 3nm制程工艺生产的首款旗舰芯片研发进展顺利，已于近日顺利完成。预计明年将于为量产。
对此，联发科总经理陈冠周表示:“在拓展全球旗舰市场的战略中，联发科致力于用全球最先进的技术为用户打造前沿科技产品，提升和丰富大众生活。TSMC稳定优质的制造能力，让联发科在旗舰芯片上的优秀设计得以充分展现，为全球客户提供高性能、高能效、质量稳定的最佳芯片解决方案，为旗舰市场带来前所未有的用户体验。”
根据TSMC的说法，其3 nm工艺技术不仅为高性能计算和移动应用提供了完整的平台支持，而且还增强了性能、功耗和产量。与5纳米工艺技术相比，TSMC的3纳米工艺技术将逻辑密度提高了60%左右，在相同功耗下将速度提高了18%，或者在相同速度下将功耗降低了32%。
联发科表示，其首款采用TSMC 3nm工艺的旗舰芯片将于将于2024年下半年上市。
TSMC的3 nm工艺在去年年底正式公布量产。但由于产能有限，TSMC报价高，第一批客户只有苹果，占TSMC 3nm工艺节点初期订单的90%。根据目前的消息，苹果今年将发布3 nm 芯片A17 Bionic和M3，其中前者将用于iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max，后者将用于新款Macbook机型。至于高通的3 nm 芯片，目前还没有准确消息，有望再次与联发科抗衡。
